六、 設(shè)計(jì)輸出輸出光繪文件的注意事項(xiàng)：a. 需要輸出的層有布線層（底層） 、絲印層（包括頂層絲印、底層絲?。?、阻焊層（底層阻焊）、鉆孔層（底層），另外還要生成鉆孔文件（NC Drill）b. 設(shè)置絲印層的Layer時(shí)，不要選擇Part Type，選擇頂層（底層）和絲印層的Outline、Text、Line。c. 在設(shè)置每層的Layer時(shí)，將Board Outline選上，設(shè)置絲印層的Layer時(shí)，不要選擇Part Type，選擇頂層（底層）和絲印層的Outline、Text、Line。d. 生成鉆孔文件時(shí)，使用PowerPCB的缺省設(shè)置，不要作任何改變。


有的時(shí)候只差2、3dB的時(shí)候換一個(gè)不同品牌會(huì)有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個(gè)對(duì)輻射影響也是很大的。 一個(gè)慘痛案例，一款過了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過層層排查、一個(gè)個(gè)元件對(duì)換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對(duì)不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。


圖一b（230Vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測(cè)試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線（紅色線）圖一b-1（230Vac） 原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230Vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115Vac） 115Vac輸入測(cè)試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火??！看來這招不行； 圖一b-4（115Vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230Vac） 115Vac輸入測(cè)試，測(cè)試通過。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過變壓器地再回到大電容地，不與其它信號(hào)線交叉；