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ASEMI肖特基二極管新品介紹——

SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:

1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。

2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非常快，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管。

SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、DA電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。

關(guān)于肖特基MBR系列

　　為什么國(guó)際通用常見的肖特基二極管都以"MBR"字頭命名？

　　因?yàn)樽钤缡鞘澜绨雽?dǎo)體公司-摩托羅拉半導(dǎo)體命名的產(chǎn)品型號(hào)

　　M:是以最早MOTOROLA的命名，取M

　　B:Bridge 橋；Barrier:勢(shì)壘

　　R:Rectifier,整流器 "MBR"意為整流器件

　　SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二極管。

　　例如：MBR20100CT

　　M:MOTOROLA 縮寫M

　　B:Barrier1 縮寫B(tài)

　　R:Rectifier 縮寫R

　　20:電流20A

　　100:電壓100V

　　C:表示TO-220AB封裝，常指半塑封。

　　T:表示管裝

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號(hào)的前綴第四位字母中體現(xiàn)，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號(hào)的命名都有它的規(guī)律性可循。例如：MBR20100CT,型號(hào)中就20100是阿拉伯?dāng)?shù)字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類推。