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肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀(jì)延續(xù)了這個(gè)不平凡，將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品引入并發(fā)展！

肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管(雙二極管)式兩種封裝形式。肖特基對(duì)管又有共陰(兩管的負(fù)極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極)三種管腳引出方式。

ASEMI工程師講解雪崩問題解決方案

在IAS下不會(huì)燒毀的維持時(shí)間:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說，SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時(shí)，可保證在5μs之內(nèi)不會(huì)損壞器件。EAS是檢驗(yàn)肖特基勢(shì)壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED，使整流部分的損耗降低10%~15%。由于SBD的超快軟恢復(fù)特性及其雪崩能量，提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性，EMI也得到顯著的改善。

　　MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常見的半導(dǎo)體公司對(duì)肖特基產(chǎn)品的型號(hào)命名。各廠家命名有不同。

　　備注：美國摩托羅拉半導(dǎo)體公司，是世界半導(dǎo)體生產(chǎn)商。早期的半導(dǎo)體元件很多都是以該公司的產(chǎn)品命名而得到全球公認(rèn)、通用。摩托羅拉公司后來將半導(dǎo)體器件分離出來，分為：

　　成品電器（比如手機(jī)、通信終端設(shè)備、小家電等）；

　　電子元件部分是今天的ON（安森美半導(dǎo)體），生產(chǎn)功率器件；

　　Freescale（飛思卡爾半導(dǎo)體）生產(chǎn)IC集成電路；

　　如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常說貼片封裝。