低壓智能電容器的使用性能及使用壽命

工作電源的電壓過(guò)高、諧波過(guò)高及環(huán)境溫度過(guò)高均會(huì)引起低壓智能電容器內(nèi)部溫度升高，當(dāng)內(nèi)部溫度超過(guò)其限值時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致智能電容器電容本體的鼓脹變形及加速電容本體的老化，嚴(yán)重影響智能電容器的使用性能及使用壽命。設(shè)置這能電容器內(nèi)部過(guò)溫保護(hù)，時(shí)期內(nèi)部溫度超值時(shí)退出運(yùn)行，由其它這能電容器自動(dòng)替換運(yùn)行，可以有效的延長(zhǎng)低壓智能電力電容器的使用性能及使用壽命。

低壓智能電容器在投入時(shí)的涌流大小息息相關(guān)

說(shuō)到低壓智能電容器就必須提到其所用的投切開(kāi)關(guān)，投切開(kāi)關(guān)的技術(shù)與電容器在投入時(shí)的涌流大小息息相關(guān).所謂的涌流，是一種持續(xù)時(shí)間非常短的電流，是個(gè)瞬時(shí)值，因此通常不用涌流的電流值來(lái)描述涌流，然而是用倍數(shù)來(lái)描述涌流。所謂的涌流倍數(shù)，就是涌流峰值與穩(wěn)定電流的峰值的比值。由于低壓智能電容器直接投入電網(wǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)大的涌流，涌流不僅會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生一些不利的干擾，而且涌流會(huì)加速電容器的失效，減少電容器和投切開(kāi)關(guān)的使用壽命，甚至導(dǎo)致電容器，因此需要采取一定的措施來(lái)限制涌流，乃至調(diào)控涌流。

智能復(fù)合開(kāi)關(guān)適用于低壓無(wú)功補(bǔ)償

智能復(fù)合開(kāi)關(guān)適用于低壓無(wú)功補(bǔ)償電容器準(zhǔn)動(dòng)太切換，其主要特點(diǎn)是將磁保持繼電器和晶閘管的使用優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起，投切電容器時(shí)保證電壓 過(guò)零合閘和電流過(guò)零分閘、觸電不燒結(jié)、運(yùn)行中壓降小、耗能低、不產(chǎn)生諧波，采用了儲(chǔ)能式低能耗過(guò)零監(jiān)測(cè)技術(shù)和過(guò)零投切技術(shù)。具有實(shí)時(shí)性強(qiáng)、取樣能耗低，過(guò)零投切準(zhǔn)確，杜絕了復(fù)合的機(jī)械觸點(diǎn)和晶閘管由于過(guò)零監(jiān)測(cè)不準(zhǔn)，而岀現(xiàn)粘連或擊穿損壞，本系列只能復(fù)合開(kāi)關(guān)是一種新型智能化的環(huán)保型低壓開(kāi)關(guān)。

一種智能電容器的控制電路

一種智能電容器的控制電路，包括電流檢測(cè)電路、電壓檢測(cè)電路、電壓過(guò)零檢測(cè)電路、電流過(guò)零檢測(cè)電路、繼電器投切電路、MCU控制電路；所述繼電器投切電路包括磁保持繼電器、NPN三極管、第二NPN三極管、電阻以及第二電阻；其中，所述磁保持繼電器的線圈上設(shè)置有抽頭，所述抽頭耦接至12V直流電壓；所述NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的，發(fā)射極接地，基極與電阻串聯(lián)；所述第二NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的低端，發(fā)射極接地，基極與第二電阻串聯(lián)。