正壓法氦質(zhì)譜檢漏

采用正壓法檢漏時(shí)，需對(duì)被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封室充入高于一個(gè)大氣壓力的氦氣，當(dāng)被檢產(chǎn)品表面有漏孔時(shí)，氦氣就會(huì)通孔漏孔進(jìn)入被檢外表面的周圍大氣環(huán)境中，再采用吸槍的方式檢測(cè)被檢產(chǎn)品周圍大氣環(huán)境中的氦氣濃度增量，從而實(shí)現(xiàn)被檢產(chǎn)品泄漏測(cè)量。氦氣怎么檢漏，氦氣檢漏就是利用了氦氣分子小能夠輕易進(jìn)入那些不被肉眼察覺(jué)的孔縫中，利用監(jiān)測(cè)儀器就能探測(cè)到孔縫中泄露出的氦氣。按照收集氦氣方式的不同，又可以將正壓法分為正壓吸槍法和正壓累積法。其中正壓吸槍法采用檢漏儀吸槍對(duì)被檢產(chǎn)品外表面進(jìn)行掃描探查，可以實(shí)現(xiàn)漏孔的; 正壓累積法采用有一定密閉功能的氦罩將被檢產(chǎn)品全部罩起來(lái)，采用檢漏儀吸槍測(cè)量一定時(shí)間段前后的氦罩內(nèi)氦氣濃度變化量，實(shí)現(xiàn)被檢產(chǎn)品總漏率的測(cè)量。

正壓法的優(yōu)點(diǎn)是不需要輔助的真空系統(tǒng)，可以，實(shí)現(xiàn)任何工作壓力下的檢測(cè)。

正壓法的缺點(diǎn)是檢測(cè)靈敏度較低，檢測(cè)結(jié)果不確定度大，受測(cè)量環(huán)境條件影響大。

正壓法的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)主要有QJ3089-1999《氦質(zhì)譜正壓檢漏方法》、QJ2862-1996《壓力容器焊縫氦質(zhì)譜吸槍罩盒檢漏試驗(yàn)方法》，主要應(yīng)用于大容積高壓密閉容器產(chǎn)品的檢漏，如高壓氦氣瓶、艙門檢漏儀等。

充注檢漏氣體前，試件必須抽空

為正確試漏，在充注檢漏氣體前將試件預(yù)抽空是完全必要的，特別是對(duì)幾何形狀長(zhǎng)和窄的試件尤為重要。如果充注前未抽空，試件中的空氣將被擠壓至幾何空間的終端，而檢漏氣體不可能進(jìn)入這個(gè)部位，從而潛在的漏孔將僅釋放空氣，檢漏儀則不能檢測(cè)到這些漏孔。

如果采用低壓力的檢漏氣體充注試件，抽空也是特別重要的，因?yàn)樵嚰袣埩舻目諝鈱⑾♂尦渥⒌臋z漏氣體。背壓法的檢漏標(biāo)準(zhǔn)主要有QJ3212-2005《氦質(zhì)譜背壓檢漏方法》、GJB360A-1996《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法112密封試驗(yàn)》，主要應(yīng)用于各種電子元器件產(chǎn)品檢漏。例如：如果試件中殘留大氣壓空氣，充注添加一個(gè)大氣壓的檢漏氣體后，試件中的檢漏氣體濃度便降為50%，而如果充注添加兩個(gè)大氣壓的檢漏氣體，檢漏氣體濃度則為66%。

氦氣在在半導(dǎo)體中的檢漏作用

為了防止半導(dǎo)體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質(zhì)而導(dǎo)致性能退化，就必須采用管殼來(lái)密封。充注檢漏氣體前，試件必須抽空為正確試漏，在充注檢漏氣體前將試件預(yù)抽空是完全必要的，特別是對(duì)幾何形狀長(zhǎng)和窄的試件尤為重要。但是在管殼的封接處或者引線接頭處往往會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而產(chǎn)生一些肉眼難以發(fā)現(xiàn)的小洞，所以在元器件封裝之后，就需要采取某些方法來(lái)檢測(cè)這些小洞的存在與否。 氦氣檢漏就是采用氦氣來(lái)檢查電子元器件封裝管殼上的小漏洞。因?yàn)楹ぴ拥某叽绾苄。菀状┻^(guò)小洞而進(jìn)入到管殼內(nèi)部，所以這種檢測(cè)方法能夠檢測(cè)出尺寸很小的小洞（即能夠檢測(cè)出漏氣速率約為10?11～10?12cm3/sec的小洞），靈敏度可與性檢漏方法匹敵，但要比性檢漏方法簡(jiǎn)便。

氦氣檢漏試驗(yàn)的方法：首先把封裝好的元器件放入充滿氦氣的容器中，并加壓，讓氦氣通過(guò)小洞而進(jìn)入管殼中；然后取出，并用壓縮空氣吹去管殼表面的殘留氦氣；接著采用質(zhì)譜儀來(lái)檢測(cè)管殼外表所漏出的氦氣。