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其實,通過對比的話,碳化硅球與碳化硅在成分方面并沒有太大的區(qū)別,但碳化硅球具有粒度統(tǒng)一的優(yōu)點,通過合理的應用碳化硅球,能充分利用碳化硅球,減少對碳化硅球的浪費。然而,由于碳化硅球是由碳化硅粉,碳化硅粒壓制而成的,主要組成部分也是碳化硅,所以,為了確保碳化硅球的品質(zhì),也需要注意碳化硅的品質(zhì)。硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導體分離器件已廣泛應用于各個領域,在軍事電子設備中也占有重要地位。
在冶煉碳化硅時,之所以會出現(xiàn)粗細不均勾,主要在于爐心裝置不均勻,例如尺寸不均、加壓不均、有大塊雜物等。另外,爐心下部料密度過低,造成爐心下沉多,易發(fā)生下沉不均現(xiàn)象;晶態(tài)硅具有金剛石晶格,硬而脆,熔點1410°C,沸點2355°C,密度2。爐心上部料高度不均造成對,爐心的壓力不均等都會引起結晶筒的粗細不均勾。采用小爐心時,這一現(xiàn)象更易發(fā)生。
在冶煉碳化硅時,之所以會出現(xiàn)粗細不均勾,主要在于爐心裝置不均勻,例如尺寸不均、加壓不均、有大塊雜物等。另外,爐心下部料密度過低,造成爐心下沉多,易發(fā)生下沉不均現(xiàn)象;但是要避免大批量往鐵水里投料,以防止氧化過多而出現(xiàn)增碳效果不明顯和鑄件碳含量不夠的情況。爐心上部料高度不均造成對,爐心的壓力不均等都會引起結晶筒的粗細不均勾。采用小爐心時,這一現(xiàn)象更易發(fā)生。
爐心截面小的地方電阻大,電流通過時產(chǎn)生熱量多,爐溫較高,sic分解層增厚,爐心擴大的結果使爐阻減小的速度較快。反之爐心截面大的地方,由于sic分解而造成的爐心擴大就比較慢。這樣就自動縮小了爐心截面積之間的差距。但是這種自動調(diào)節(jié)作用也有一定的限度。硅球中主要的成分就是硅元素,而硅元素具有很多功能,也能應用于不同的領域中。