化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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鈀的化學(xué)氣相沉積Pd 及其合金對(duì)氫氣有著極強(qiáng)的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲(chǔ)或者凈化氫氣的理想材料。I)沉積物種類多:可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。對(duì)于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產(chǎn)氫凈化設(shè)備 。也有些學(xué)者使用化學(xué)氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機(jī)化合物當(dāng)做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。

化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實(shí)驗(yàn)室、高等院校實(shí)驗(yàn)室、教學(xué)等的項(xiàng)目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)：應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來(lái)制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。

ICP刻蝕機(jī)的檢測(cè)技術(shù)

預(yù)報(bào)式檢測(cè)

隨著主流半導(dǎo)體工藝技術(shù)由0.18 μm 逐漸轉(zhuǎn)移到0.13 μm工藝，以及較新的90 nm 工藝成功研發(fā)及投入使用。半導(dǎo)體器件的特征尺寸進(jìn)一步減小，柵氧層的厚度越來(lái)越薄。ICP頭尺寸：340mmmm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm。90 nm工藝中，柵氧層的厚度僅為1.2 nm。如果等離子體刻蝕工藝控制不好， 則非常容易出現(xiàn)柵氧層的損傷；同時(shí)， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等離子體轟擊下的被刻蝕面積不斷縮小，所檢測(cè)到的終點(diǎn)信號(hào)的強(qiáng)度下降，信號(hào)的信噪比降低。所有這些因素都對(duì)終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)本身及其測(cè)量結(jié)果的可靠性提出了更加嚴(yán)格的要求。在0.18 μm工藝時(shí)，使用單一的OES檢測(cè)手段就可滿足工藝需求;進(jìn)入0.13 μm 工藝后，就必須結(jié)合使用OES 及IEP 兩種檢測(cè)手段。由于IEP技術(shù)可以在刻蝕終點(diǎn)到達(dá)之前進(jìn)行預(yù)報(bào)，因而被稱為預(yù)報(bào)式終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)。

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