.真空蒸鍍

真空蒸鍍是真空條件下在1.33x10-3至1.33x10-4Pa的壓力下，用電子束等熱源加熱沉積材料使之蒸發(fā)，蒸發(fā)的原子或分子直接在注塑加工件表面形成沉積層。但對于難熔的金屬碳化物和氮化物進行直接蒸發(fā)是有困難的，并且有使化合物分解的傾向。為此，開發(fā)了引入化學過程的反應蒸鍍，例如，用電子槍蒸發(fā)鈦金屬，并將少量和等反應氣體導入蒸發(fā)空間，使鈦原子和反應氣體原子在工件表面進行反應，沉積TiC涂層。

真空蒸鍍多用于透鏡和反射鏡等光學元件、各種電子元件、塑料注塑加工制品等的表面鍍膜，在表面硬化方面的應用不太多。

離化PVD技術通過將成膜材料高度電離化形成膜材料離子，從而增加膜材料離子的沉積動能，并使之在高化學活性狀態(tài)下沉積薄膜的技術，包括離子鍍、離子束沉積和離子束輔助沉積三類。

離化PVD過程大多是蒸發(fā)/濺射（氣相物質(zhì)激發(fā)）與等離子體離化過程（賦能、）的交叉結(jié)合。

蒸發(fā)鍍膜是依靠源材料的晶格振動能克服逸出功，從而形成沉積粒子的熱發(fā)射，即：外加能量（電阻/電子束/激光/電弧/射頻）賦予材料較高的晶格振動能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而濺射是依靠高能離子輸入動能，借助源材料中粒子間的彈性碰撞，致使更高動能粒子逸出。離化PVD 是以其它手段激發(fā)沉積物質(zhì)粒子，然后使之與高度電離的等離子體交互作用（類似 PECVD），促使沉積粒子離化，使之既可被電場加速而獲得更高動能，同時在低溫狀態(tài)下具有高化學活性。

化學氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發(fā)化合物置于反應室，當高溫氣流進入反應室時，可控制的反應室可使其發(fā)生一種合適的化學反應，導致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時將反應產(chǎn)物及多余物從反應室蒸發(fā)排除。

化學氣相沉積（簡稱CVD），也即化學氣相鍍或熱化學鍍或熱解鍍或燃氣鍍，屬于一種薄膜技術。常見的化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積（NPCVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）。