公司產品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據客戶的構想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高質量掩膜版以及后期的代加工服務！

光刻掩模版通常用石英玻璃做為化學反應，選用方解石是因為其的近紫外線穿透率。掩模版遮光一部分用Cr，因此有時候也叫鉻板。選用燈的g線應i線，在于你常用的光刻膠，每個光刻膠產品介紹都是列舉其所比較敏感的納米段。 

蝕刻工藝通常稱為版

刻蝕（Etch）是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。②烤版膠濃度要合適，如烤版膠太稠，烤版效果和上墨效果也不會令人滿意?？涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝，并會根據客戶的需求，設計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案。

光刻（英語：photolithography）是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。在有必要的情況下，使用濕法或干法方式去除掩膜版上的光刻膠層，并對掩膜版進行清洗。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層僅數納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。使用無掩模光刻機讀取版圖文件，對帶膠的空白掩膜版進行非接觸式曝光（曝光波長405nm），照射掩膜版上所需圖形區(qū)域，使該區(qū)域的光刻膠（通常為正膠）發(fā)生光化學反應經過顯影、定影后，曝光區(qū)域的光刻膠溶解脫落，暴露出下面的鉻層。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯影液，溶解掉被照射的區(qū)域，這樣，光掩模上的圖形就呈現在光刻膠上。通常還將通過烘干措施，改善剩余部分光刻膠的一些性質。