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閉弧操作是將電極適當(dāng)?shù)芈袢霠t料中，以半熔融爐料為阻，在電極和熔融爐料之間產(chǎn)生電弧。要想做到閉弧操作，首先就要考慮投料方法。投料方法有一

次投料法、分次投料法、多次投料法。除一次投料法是明弧操作外，其他方法都可以做到閉弧操作。化學(xué)硅生產(chǎn)中，我們采用分次投料法，料層結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電耗低，

爐齡長。     

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硅熔煉過程中，電爐電氣參數(shù)的控制是由配電工作完成的。一般情況下就是控制電極的埋入深度。淺埋電極，一般表明還原劑過剩，電極附近形成火眼，電弧

聲響亮，出爐硅溫度低，數(shù)量少、電耗高。深埋電極，如果爐料中還原劑過少，電極將處于較低位置。因為爐料電阻隨著爐料中碳的減少而增大，電阻增大使電流負

荷下降，電極消耗增加，生產(chǎn)率降低。        

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原名字“硅”并讀“gui”，但并未意識到其實“硅”字本亦應(yīng)讀xi音。有趣的是，與矽鋼片等詞匯至今仍用矽字。在香港，兩用法皆有，但“矽”

較通用。

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