磁控濺射鍍膜機(jī)原理

由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進(jìn)行能量交換的過程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級(jí)聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動(dòng)。濺射原子大多數(shù)來自靶表面零點(diǎn)幾納米的淺表層，可以認(rèn)為靶材濺射時(shí)原子是從表面開始剝離的。如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發(fā)生振動(dòng)而不產(chǎn)生濺射。如果轟擊離子能量很高時(shí)，濺射的原子數(shù)與轟擊離子數(shù)之比值將減小，這是因?yàn)檗Z擊離子能量過高而發(fā)生離子注入現(xiàn)象的緣故。磁控濺射種類用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便。

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關(guān)于磁控濺射鍍膜機(jī)知識(shí)!

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磁控濺射鍍膜儀用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。

電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過程中與ya原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；烘烤的目的是徹底清除基片表面殘余的水份,并使基片加熱到一定的溫度,很多材質(zhì)在較高的基片溫度下可以增強(qiáng)結(jié)合力和膜層的致密性。新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射。是制備低維度，小尺寸納米材料器件的實(shí)驗(yàn)手段，廣泛應(yīng)用于集成電路，光子晶體，低維半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

1、磁控濺射和電阻蒸發(fā)雙應(yīng)用。本機(jī)采用可磁控濺射與電阻蒸發(fā)免拆卸轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，可快速實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)源的轉(zhuǎn)換。

2、桌面小型一體化結(jié)構(gòu)。本機(jī)對(duì)真空腔體、鍍膜電源及控制系統(tǒng)進(jìn)行整合設(shè)計(jì)，體積與一臺(tái)A3 打印機(jī)相仿（不包含真空機(jī)組，480x320x460mm，寬X 高X 深）

我國真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。國內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對(duì)于國外高1端鍍膜設(shè)備而言，在自動(dòng)化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性方面尚需提升，高1端設(shè)備仍依賴進(jìn)口。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場(chǎng)存在供大于求的情況，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。創(chuàng)世威納擁有先進(jìn)的技術(shù)，我們都以質(zhì)量為本，信譽(yù)高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務(wù)。

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