1、真空鍍膜工藝在信息存儲范疇中的運用薄膜資料作為信息記載于存儲介質，有其得天獨厚的優(yōu)勢：因為薄膜很薄能夠疏忽渦流損耗；磁化回轉極為敏捷；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀況簡單保持等。為了更精細地記載與存儲信息，必定要選用鍍膜技能。

2、真空鍍膜工藝在傳感器方面的運用在傳感器中，多選用那些電氣性質相關于物理量、化學量及其變化來說，極為敏感的半導體資料。此外，其中大多數(shù)運用的是半導體的外表、界面的性質，需求盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低報價制造、因而選用薄膜的狀況許多。

環(huán)保真空鍍膜設備PCVD技術具有沉積溫度低，沉積速率快，繞鍍性好，薄膜與基體結合強度好，設備操縱維護簡單等優(yōu)點，用PCVD法調節(jié)工藝參數(shù)方便靈活，輕易調整和控制薄膜厚度和成份組成結構，沉積出多層復合膜及多層梯度復合膜等膜，同時，PCVD法還拓展了新的低溫沉積領域，例如，用PCVD法可將TiN的反應溫度由CVD法的1000℃降到200～500℃，用PCVD法制備納米陶瓷薄膜的特點是：產品的楊氏模量、抗壓強度和硬度都很高，耐磨性好，化學性能穩(wěn)定，性和腐蝕性好，有較高的高溫強度。

金屬箔(尤其是銅箔)上的化學氣相沉積(CVD)是目前制備大面積高質量石墨烯薄膜具發(fā)展前景的方法生長在銅箔上的石墨烯薄膜中為什么會出現(xiàn)“adlayers”，發(fā)現(xiàn)薄膜中的碳雜質直接導致adlayers的成核和生長。通過使用飛行時間二次離子質譜和燃燒分析，發(fā)現(xiàn)商業(yè)銅箔有‘過量的碳’，尤其是在表面附近，深度約為300納米。

隨著市場和研究人員的要求，隨著基于傳統(tǒng)工藝的新系統(tǒng)的出現(xiàn)，新的涂料性能得到了發(fā)展。即使通過蒸發(fā)工藝獲得的沉積速率是理想的，但事實是，濺射沉積技術在質量和沉積速率方面取得了無疑的進步，響應了對此領域感興趣的行業(yè)和研究人員的需求，甚至用作中間層，用于通過化學氣相沉積（CVD）獲得的其他涂層。

CVD是另一種在真空下沉積的方法，并且是使待沉積材料中的揮發(fā)性化合物與其他氣體發(fā)生化學反應的過程，以產生沉積在基材上的非揮發(fā)性固體。