化學(xué)氣相沉積的應(yīng)用

現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)需要使用大量功能各異的無(wú)機(jī)新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地?fù)饺肽撤N雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是，我們過(guò)去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿(mǎn)足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。一般說(shuō)來(lái),采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物。因此，無(wú)機(jī)新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學(xué)中的主要課題。

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化學(xué)氣相沉積技術(shù)類(lèi)型介紹

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化學(xué)氣相沉積裝置主要的元件就是反應(yīng)器。按照反應(yīng)器結(jié)構(gòu)上的差別，我們可以把化學(xué)氣相沉積技術(shù)分成開(kāi)管/封管氣流法兩種類(lèi)型：

1 封管法這種反應(yīng)方式是將一定量的反應(yīng)物質(zhì)和集體放置于反應(yīng)器的兩邊，將反應(yīng)器中抽成真空， 再向其中注入部分輸運(yùn)氣體，然后再次密封， 再控制反應(yīng)器兩端的溫度使其有一定差別，它的優(yōu)點(diǎn)是：①能有效夠避免外部污染；②無(wú)須持續(xù)抽氣就能使是內(nèi)部保持真空。

2 開(kāi)管法這種制備方法的特點(diǎn)是反應(yīng)氣體混合物能夠隨時(shí)補(bǔ)充。廢氣也可以及時(shí)排出反應(yīng)裝置。以加熱方法為區(qū)分，開(kāi)管氣流法應(yīng)分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會(huì)讓整個(gè)沉積室壁都會(huì)因此變熱，所以管壁上同樣會(huì)發(fā)生沉積。常見(jiàn)的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)有:熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)和化學(xué)傳輸反應(yīng)等。冷壁式加熱一般會(huì)使用感應(yīng)加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。

等離子體化學(xué)氣相沉積

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專(zhuān)業(yè)脈沖激光沉積供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

等離子體化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)稱(chēng)PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激發(fā)并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。6x10-4Pa(經(jīng)烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)。