真空鍍膜技術(shù)優(yōu)點(diǎn)

清洗過(guò)程簡(jiǎn)化：現(xiàn)有真空鍍膜機(jī)PVD涂層鍍膜工藝，多數(shù)均要求事先對(duì)工件進(jìn)行嚴(yán)格清洗，既復(fù)雜又費(fèi)事。然而，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用，并且這一作用還一直延續(xù)于整個(gè)鍍膜過(guò)程。清洗效果良好，能使鍍層直接貼近基體，有效地增強(qiáng)了附著力，簡(jiǎn)化了大量的鍍前清洗工作。

可鍍材料廣泛：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉(zhuǎn)換成熱能，從而促進(jìn)了表層組織的擴(kuò)散作用和化學(xué)反應(yīng)。然而，整個(gè)工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響。因此這種鍍膜工藝的應(yīng)用范圍較廣，受到的局限性則較小。通常，各種金屬、合金以及某些合成材料、絕緣材料、熱敏材料和高熔點(diǎn)材料等均可鍍復(fù)。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬，甚至可鍍塑料、橡膠、石英、陶瓷等。

真空鍍膜機(jī)鍍鋁時(shí),應(yīng)該注意哪些事項(xiàng)

用真空鍍膜設(shè)備鍍鋁膜，基本工藝流程為：預(yù)真空─離子清洗─鍍鋁─離子轟擊─鍍保護(hù)膜─放氣。預(yù)真空對(duì)鍍膜室抽真空至5×10，2Pa時(shí)，充入Ar氣430mL，利用2個(gè)適當(dāng)?shù)碾姌O間的低壓輝光放電產(chǎn)生的離子轟擊達(dá)到清洗和輔助預(yù)熱鍍膜基底的作用，轟擊時(shí)間為150s;鍍鋁部分蒸發(fā)器快速升至高溫，鋁絲從預(yù)熱、熔化、蒸發(fā)鍍鋁到鍍鋁完成的時(shí)間為30s多;采用二次離子轟擊，去除膜表面粒狀顆粒，使膜層更加致密，轟擊時(shí)間為80s;鍍保護(hù)膜時(shí)間為(200±50)s，真空度為3×10?2Pa，由充入的硅油流量加少量Ar氣來(lái)控制真空度，硅油流量由調(diào)節(jié)閥控制，直至放氣結(jié)束。

引起鍍膜玻璃膜層不均勻原因多方面

二次污染造成的洗凈的玻璃在鍍膜前需經(jīng)過(guò)加熱，抽真空和濺射等過(guò)程，而使玻璃再次污染，從而使玻璃鍍膜后產(chǎn)生。玻璃加熱過(guò)程中再污染是加熱室或?yàn)R射室不干凈，而對(duì)玻璃再污染，這些污染源主要來(lái)源于擴(kuò)散泵返油、加熱室或?yàn)R射室內(nèi)臟、靶玻璃材濺射產(chǎn)生靶灰，殘余氣體壓強(qiáng)高等諸多方面。因?yàn)橐话愕墓腆w物質(zhì)，每單位表面積上的分子數(shù)大約為10個(gè)左右，在常Pa的壓強(qiáng)下，每秒鐘撞表面的分子數(shù)大體上相當(dāng)于覆蓋物質(zhì)積的分子數(shù)。在殘余氣體壓強(qiáng)為10的情況下，假如以每秒一層原子左右的形成速度進(jìn)行鍍膜時(shí)，則蒸發(fā)的原子和殘余氣體的分子幾乎是以相同的幾率碰撞基片。在濺射過(guò)程中在充入氣時(shí)壓強(qiáng)為10～10時(shí)所形成膜的速度和蒸發(fā)條件下基本相同。

現(xiàn)代真空鍍膜機(jī)膜厚測(cè)量及監(jiān)控方法

現(xiàn)代真空鍍膜機(jī)膜厚測(cè)量及監(jiān)控方法 涂層的鍍膜機(jī)控制方法是直接的石英晶體微天平(QCM)的方法，該儀器可以直接驅(qū)動(dòng)的蒸發(fā)源，通過(guò)PID控制回路傳動(dòng)擋板，使蒸發(fā)率。只要儀器和系統(tǒng)控制軟件的連接，它可以控制涂層的全過(guò)程。但(QCM)的準(zhǔn)確性是有限的，鍍膜機(jī)部分原因是其監(jiān)測(cè)代替光學(xué)厚度的涂層質(zhì)量。 此外，雖然QCM在低溫下非常穩(wěn)定，但溫度高，它將成為對(duì)溫度很敏感。在長(zhǎng)時(shí)間的加熱過(guò)程中，鍍膜機(jī)很難避免傳感器為敏感的區(qū)域，導(dǎo)致薄膜的重大錯(cuò)誤。光學(xué)監(jiān)測(cè)是一種涂層優(yōu)選的監(jiān)控模式，鍍膜機(jī)這是因?yàn)樗軠?zhǔn)確控制膜的厚度(如果使用得當(dāng))。