磁控濺射鍍膜的特點(diǎn)

1、靶材粒子能量高（比熱蒸發(fā)高出1個(gè)數(shù)量級(jí)），所制備膜層更致密，與石英片結(jié)合力更高：

2、一般備有輔助離子源，可以用來清洗石英片，清洗效果好；

3、易于制備熔點(diǎn)高的材料；

4、制備合金膜層，可以保證膜層材料比例與靶材相同；

5、由于裝有中和器，也可以用來制備絕緣膜層。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶zhong毒的影響因素  

影響靶zhong毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會(huì)導(dǎo)致靶zhong毒。創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射鍍膜機(jī)，以下信息由創(chuàng)世威納為您提供。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候，靶完全zhong毒。

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我國真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。在集成電路芯片生產(chǎn)制造中的運(yùn)用：塑料薄膜變阻器、薄膜電容器、塑料薄膜溫度感應(yīng)器等。國內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對(duì)于國外高1端鍍膜設(shè)備而言，在自動(dòng)化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性方面尚需提升，高1端設(shè)備仍依賴進(jìn)口。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場存在供大于求的情況，價(jià)格競爭較為激烈。

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磁控濺射法的優(yōu)勢

目前常用的制備CoPt 磁性薄膜的方法是磁控濺射法。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使ya氣發(fā)生電離。ya離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時(shí)間，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點(diǎn)。

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