光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性膠。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。

光刻膠

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后NR9-3000PY顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢：

NR9-3000PY

四、對準（Alignment）

光刻對準技術是曝光前的一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，對準精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，對準技術也經(jīng)歷 迅速而多樣的發(fā)展 。從對準原理上及標記結 構分類 ，對準技術從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式 ，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式 、干涉強度對準 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式 。從對準信號上分 ，主要包括標記的顯微圖像對準 、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。只有在應用過程中才能發(fā)現(xiàn)問題，解決問題，不斷提升技術、工藝與產(chǎn)品水平，實現(xiàn)我國關鍵電子化學品材料的國產(chǎn)化，完善我國集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈，滿足國家和重點產(chǎn)業(yè)的需求。

NR77-20000PNR26 25000P光刻膠公司

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗,光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。隨著光刻分辨力的提高，對準精度要求也越來越高，例如針對45am線寬尺寸，對準精度要求在5am左右。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉，達到將光刻膠上的圖形轉移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。