基于硅還是SiC的MOSFET通斷,都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)

無(wú)論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷，都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)節(jié)：柵極驅(qū)動(dòng)電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過(guò)沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動(dòng)態(tài)因素。柵極驅(qū)動(dòng)器可用于連接控制處理器輸出的相對(duì)簡(jiǎn)單的低電平信號(hào)與開(kāi)關(guān)器件的柵極輸入。這種特殊電源轉(zhuǎn)換器的輸出與功率器件的負(fù)載要求相對(duì)應(yīng)。

對(duì)于半橋或全橋等常用配置下的一對(duì)開(kāi)關(guān)器件，驅(qū)動(dòng)器模塊還須確保和低端器件不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，即使只是瞬間，因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致電源軌接地。此外，在某些功率器件應(yīng)用中，功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進(jìn)行電氣隔離，同時(shí)仍需為其提供相應(yīng)的性能。

即公用移動(dòng)通信

即公用移動(dòng)通信是無(wú)線電臺(tái)站的一種形式，是指在一定的無(wú)線電覆蓋區(qū)中，通過(guò)移動(dòng)通信交換中心，與移動(dòng)電話終端之間進(jìn)行信息傳遞的無(wú)線電收發(fā)信電臺(tái)。移動(dòng)通信的建設(shè)是我國(guó)移動(dòng)通信運(yùn)營(yíng)商投資的重要部分，移動(dòng)通信的建設(shè)一般都是圍繞覆蓋面、通話質(zhì)量、投資效益、建設(shè)難易、維護(hù)方便等要素進(jìn)行。隨著移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)向數(shù)據(jù)化、分組化方向發(fā)展，移動(dòng)通信的發(fā)展趨勢(shì)也必然是寬帶化、大覆蓋面建設(shè)及IP化。

收發(fā)臺(tái)在控制器的控制下，完成的控制與無(wú)線信道之間的轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)手機(jī)通信信號(hào)的收發(fā)與移動(dòng)平臺(tái)之間通過(guò)空中無(wú)線傳輸及相關(guān)的控制功能。收發(fā)臺(tái)可對(duì)每個(gè)用戶的無(wú)線信號(hào)進(jìn)行和發(fā)送。

高頻開(kāi)關(guān)直流電源應(yīng)用特點(diǎn)

高頻開(kāi)關(guān)直流電源應(yīng)用特點(diǎn)：1、降低孔隙率，晶核的形成速度大于成長(zhǎng)速度，促使晶核細(xì)化。2、改善結(jié)合力，使鈍化膜擊穿，有利于基體與鍍層之間牢固的結(jié)合。3、改善覆蓋能力和分散能力，高的陰極負(fù)電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積，減緩形態(tài)復(fù)雜零件的突出部位由于沉積離子過(guò)度消耗而帶來(lái)的“燒焦”“樹(shù)枝狀”沉積的缺陷，對(duì)于獲得一個(gè)給定特性鍍層（如顏色、無(wú)孔隙等）的厚度可減少到原來(lái)1/3~1/2，節(jié)省原材料。

穩(wěn)壓電源有很多種,它的作用是把市電濾波后;穩(wěn)定成各種電器和電

穩(wěn)壓電源有很多種，它的作用是把市電濾波后；穩(wěn)定成各種電器和電路，所需的電壓叫穩(wěn)壓電源。穩(wěn)壓電源定義是能為負(fù)載提供穩(wěn)定交流電源或直流電源的電子裝置。包括交流穩(wěn)壓電源和直流穩(wěn)壓電源兩大類。交流穩(wěn)壓電源又稱交流穩(wěn)壓器。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，特別是電子計(jì)算機(jī)技術(shù)應(yīng)用到各工業(yè)、科研領(lǐng)域后，各種電子設(shè)備都要求穩(wěn)定的交流電源供電，電網(wǎng)直接供電已不能滿足需要，交流穩(wěn)壓電源的出現(xiàn)解決了這一問(wèn)題。