技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測試對象

*1）功能

GBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。

*2）測試對象

被測器件IGBT模塊動態(tài)參數(shù)。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)

測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進(jìn)行。

8）高壓大功率開關(guān)

?電流能力 200A

?隔離耐壓 10kV

?響應(yīng)時間 150ms

?脈沖電流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

9）尖峰抑制電容

用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。

?電容容量 200μF

?分布電感 小于10nH

?脈沖電流 200A

?工作濕度 <70%

2.4短路技術(shù)條件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路電流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技術(shù)條件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設(shè)定 5、測試頻率：單次 2.6 NTC測試技術(shù)條件 阻值測量范圍：0～20KΩ

13）被測器件旁路開關(guān) 被測安全接地開關(guān)，設(shè)備不運(yùn)行時，被測接地。 ?電流能力 DC 50A ?隔離耐壓 15kV ?響應(yīng)時間 150ms ?工作方式 氣動控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 14）工控機(jī)及操作系統(tǒng) 用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下： ?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱； ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL雙核； ?主板：研華SIMB； ?硬盤：1TB；內(nèi)存4G； ?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；優(yōu)勢行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計、制造的行業(yè)。 ?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。 ?西門子PLC邏輯控制