脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積系統(tǒng)具有獨特的優(yōu)越性。它可以把激光燒蝕技術和我們所擁有的其他沉積技術（如RF源）集成于一臺設備上?？梢陨L各種可能的材料。

● 配有6個旋轉靶臺，實現(xiàn)多層薄膜結構生長。

● 可與準分子激光和Yag激光相連。

● 在線監(jiān)控儀器做為可選件，為客戶提供高質量的工藝信息反饋。

● 裝載室不但可以裝取樣品，還可以與其他生長設備或分析設備相連。

應用

● 多元素復合氧化物

● 高溫超導材料

● 磁性材料、金屬材料

● 低蒸汽壓材料

● MEMS

期望大家在選購脈沖激光沉積時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節(jié)疑問。想要了解更多脈沖激光沉積的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！

脈沖激光沉積(PLD)簡介

隨著新型氧化物/氮化物的研究和發(fā)展，用于沉積它們的外延生長設備：脈沖激光沉積(PLD)和由其衍生的生長技術也越來越受到科研工作者的重視和青睞。PLD是近年來發(fā)展起來的一種真空物理沉積工藝，具有襯底溫度較低，而且采用光學系統(tǒng)、非接觸加熱和避免不必要的玷污等特點。PLD還有一個很大的優(yōu)點，即能夠通入較高的氧分壓(1 ~ 50 mTorr)，特別適于氧化物的生長。但是PLD方法無法準確控制膜厚，不可能制備原子層尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。

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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

技術參數(shù)：

1. 靶：數(shù)量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉，靶的選擇可通過步進電機控制。

2. 基板：采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉，工作環(huán)境最大壓力是300mtorr。

3. 基板加熱電源。

4. 超高真空成膜室腔體：不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-7 pa。

5. 樣品傳輸室：不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa。

6. 排氣系統(tǒng)：分子泵和干式機械泵，進口知名品牌。

7. 閥門：采用超高真空擋板閥。

8. 真空檢測：真空計采用進口產品

9. 氣路兩套：采用氣體流量計（MFC）。

10. 薄膜成長監(jiān)控系統(tǒng)：采用掃描型Rheed（可差分抽氣）。

11. 監(jiān)控軟件系統(tǒng)：基板溫度的監(jiān)控和設定，基板和靶的旋轉，靶的更換。

12. 各種電流導入及測溫端子。

13. 其它各種構造：各種超高真空位移臺，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等。

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