金屬表面處理在將柱狀鋁材依照前邊評定的胚料尺寸開展激光切割并擠壓，這一全過程被稱作鋁擠，會讓鋁材擠壓以后變成標準的鋁板便捷生產加工，另外更為高密度，硬實。由于初始的鋁材強度和抗壓強度都不足。金屬封裝多種形式、生產加工靈便，能夠和一些構件(如混和集成化的A／D或D／A轉化器)結合為一體，合適于低I／O數(shù)的單芯片和多集成ic的主要用途，也合適于頻射、微波加熱、光學、聲表面波和大電力電子器件，能夠考慮批量生產、銷售電價的規(guī)定。作為封裝的基座或散熱器時，這類高分子材料把發(fā)熱量送到下一級時，并不十分合理，可是在熱管散熱層面是極其合理的。因此用碳纖維(高純石墨化學纖維)提高的銅基高分子材料在高功率主要用途很有力。與銅復合型的原材料沿碳纖維長短方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纖維長短方向的CTE為8×10-6K-1,熱導率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長度方向的熱導率少低一個量級。

金屬表面處理原材料工作人員在這種原材料基本上科學研究和開發(fā)設計了很多種多樣金屬基復合材料(MMC)，他們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化學物質(如TiAl、NiAl)為常規(guī)，以顆粒物、晶須、滌綸短纖維或持續(xù)化學纖維為提高體的一種復合材料。世界各國已普遍生產制造并且用在大功率微波加熱管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路芯片控制模塊上。因為Cu-Mo和Cu-W中間不混溶或浸潤性偏差，更何況二者的溶點相距挺大，給原材料制取產生了一些難題；假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，則密封性無法得到確保，危害封裝特性。另一個缺陷是因為W的百分之含量高而造成Cu／W相對密度很大，提升了封裝凈重。Cu基復合材料全銅具備較低的退火點，它做成的基座出現(xiàn)變軟能夠造成集成ic和／或基鋼板裂開。以便提升銅的退火點，能夠在銅中添加小量Al2O3、鋯、銀、硅。金屬機殼加工工藝大概能夠分成3種、一種是全CNC加工，一種是壓鑄，也有便是將CNC與壓鑄融合應用。這種化學物質能夠使無氧運動高導銅的退火點從320℃上升到400℃，而導熱系數(shù)和導電率損害并不大。

金屬表面發(fā)黑處理的方法與流程

金屬防腐的保護層法：

將金屬產品與外界的腐蝕介質隔離開來，從而達到防止腐蝕的效果。金屬防腐的保護層可以通過涂抹、噴涂、電鍍、熱鍍、噴鍍等方法形成。

金屬防腐的催化處理：

金屬催化防腐蝕是利用化學置換發(fā)硬，通過滲透加沉積，與工件本身發(fā)硬，形成新的合金層，結合力極強在350~400Mpa，不起皮，不脫落，性能非常穩(wěn)定。