電池片的檢驗(yàn)

電池片的檢驗(yàn)

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級(jí)：主柵線容許有輕度斷開(kāi)、缺少、歪曲、突顯，斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，不容許有斷開(kāi)，缺少、歪曲及其突顯。 

B級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級(jí)：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過(guò)0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開(kāi)，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點(diǎn)；不容許有掉色狀況。 

B級(jí)：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的10%. 

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

外擴(kuò)散種類 

1.穩(wěn)定源外擴(kuò)散：在穩(wěn)態(tài)外擴(kuò)散的標(biāo)準(zhǔn)下，企業(yè)時(shí)間內(nèi)根據(jù)垂直平分外擴(kuò)散方位的企業(yè)總面積的外擴(kuò)散品質(zhì)與該橫截面處的濃度梯度正比。 

2.限制源外擴(kuò)散：在再遍布全過(guò)程中，外擴(kuò)散是在限制源的標(biāo)準(zhǔn)下進(jìn)有的，全部外擴(kuò)散全過(guò)程的殘?jiān)矗拗朴谕鈹U(kuò)散前積淀在硅片表層的無(wú)限薄層內(nèi)的殘?jiān)偖a(chǎn)量，沒(méi)有外地人殘?jiān)钛a(bǔ)即在硅片表層處的殘?jiān)飨鄬?duì)密度。 

生產(chǎn)車間應(yīng)用的是二步外擴(kuò)散：預(yù)淀積外擴(kuò)散。預(yù)擴(kuò)散是穩(wěn)定源外擴(kuò)散，關(guān)鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同，維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴(kuò)散是限制源外擴(kuò)散，而且在主外擴(kuò)散后進(jìn)入大氮汽體，做為推動(dòng)汽體，增加PN結(jié)深度。

電池片區(qū)別

電池片差別 

太陽(yáng)電池開(kāi)始面世的是單晶硅太陽(yáng)電池。硅是宇宙上極豐富多彩的這種原素，基本上滿地常有硅的存有，百口莫辯取之不竭，用硅來(lái)生產(chǎn)制造太陽(yáng)電池，原材料可以說(shuō)不缺?？墒翘釤挸鏊鼌s不易，因此大家在生產(chǎn)制造單晶硅太陽(yáng)電池的一起，又科學(xué)研究了多晶硅太陽(yáng)電池和非晶硅太陽(yáng)電池，迄今商業(yè)服務(wù)經(jīng)營(yíng)規(guī)模生產(chǎn)制造的太陽(yáng)電池，都還沒(méi)跳出來(lái)硅的系列產(chǎn)品。我覺(jué)得能夠生產(chǎn)制造太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體器件許多，隨之原材料工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展趨勢(shì)、太陽(yáng)電池的種類將很多?，F(xiàn)階段已開(kāi)展科學(xué)研究和研發(fā)的太陽(yáng)電池，除硅系列產(chǎn)品外，也有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等很多種類的太陽(yáng)電池，不勝枚舉，下列詳細(xì)介紹幾類較普遍的太陽(yáng)電池。歸類單晶硅太陽(yáng)電池。

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對(duì)密度類似沒(méi)受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過(guò)段時(shí)間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時(shí)，各向異性系數(shù)縮小，絨面會(huì)愈來(lái)愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會(huì)很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長(zhǎng)發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時(shí)候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會(huì)危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑?？煽匦运剑簺](méi)辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)蛩峋邆渌岷徒j(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對(duì)密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無(wú)豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒(méi)有白斑病，贓污。