華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換。測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進(jìn)行自動測試。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。

IGBT半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：

?半導(dǎo)體元器件檢測中心——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經(jīng)濟效益；

?半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；

?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關(guān)斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關(guān)斷時間 toff

開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復(fù)電流 IRM 反向恢復(fù)電荷 Qrr

反向恢復(fù)時間 trr 反向恢復(fù)損耗 Erec

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；