因而用碳纖維(石墨纖維)增強的銅基復合材料在高功率密度應用領域很有吸引力。與銅復合的材料沿碳纖維長度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長度方向的熱導率至少低一個數量級。這種材料已在金屬封裝中得到廣泛使用，如美國Sinclair公司在功率器件的金屬封裝中使用Glidcop代替無氧高導銅作為底座。美國Sencitron公司在TO-254氣密金屬封裝中使用陶瓷絕緣子與Glidcop引線封接。加工硬化的純銅雖然有較高的屈服強度，但在外殼制造或密封時不高的溫度就會使它退火軟化，在進行機械沖擊或恒定加速度試驗時造成外殼底部變形。 雖然設計者可以采用類似銅的辦法解決這個問題，但銅、鋁與芯片、基板嚴重的熱失配，給封裝的熱設計帶來很大困難，影響了它們的廣泛使用。1．2 鎢、鉬Mo的CTE為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導率相當高，為138 W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中

 雖然設計者可以采用類似銅的辦法解決這個問題，但銅、鋁與芯片、基板嚴重的熱失配，給封裝的熱設計帶來很大困難，影響了它們的廣泛使用。1．2 鎢、鉬Mo的CTE為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導率相當高，為138 W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數值較小的物質如Mo、W等復合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復合材料。這些材料具有高的導電、導熱性能，同時融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據組元相對含量的變化進行調整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。 用作封裝的底座或散熱片時，這種復合材料把熱量帶到下一級時，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。為了提高銅的退火點，可以在銅中加入少量Al2O3、鋯、銀、硅。這與纖維本身的各向異性有關，纖維取向以及纖維體積分數都會影響復合材料的性能。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

4 μ m ;所述焊接的環(huán)境為高于99%的氮氣環(huán)境，氧含量50ppm以下，所述焊接 的升溫區(qū)間為570?815°C，焊接的降溫區(qū)間為815?495°C，管座通過焊接溫區(qū)的速度為 85mm/mi η 〇

所述引線采用如下方法制備：將導線依次用、堿性溶液、清水進行清洗并用酒精脫水，然后將脫水后的導線 進行退火，后對退火后的導線進行氧化處理，得到所述的引線。

使之為大功率器件 的散熱提供有效保障，提1?1．3鋼10號鋼熱導率為49．8W(m-1K-1)，大約是可伐合金的三倍，它的CTE為12．6×10-6K-1，與陶瓷和半導體的CTE失配，可與軟玻璃實現壓縮封接。廣品使用壽命，減少了芯片電路的1?溫失效幾率。引線采用銅芯材料作為引腳，大大增加了產品的載流量；有效提高了元器件功 率，同時增強了散熱效果，為大功率外殼電路的載流量提供保障。通過采用本發(fā)明制備工藝制備的金屬外殼，具備更可靠的保護性能，以及具備 耐高溫、耐腐蝕等特點。