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發(fā)布時(shí)間:2021-05-10 08:05  







KOAN 時(shí)鐘振蕩器在電力系統(tǒng)設(shè)備上的應(yīng)用

a) 電力系統(tǒng)自動(dòng)控制設(shè)備,電力系統(tǒng)智能監(jiān)控儀表,電力系統(tǒng)機(jī)電保護(hù)設(shè)備,智能斷路器,變壓器容量及特性測(cè)試儀器,智能電力家居,網(wǎng)絡(luò)化電能表,射頻識(shí)別控制器。

b) 發(fā)展方向:電力電子化,交流微型電網(wǎng)互聯(lián),全網(wǎng)系統(tǒng)化控制。

c) 難點(diǎn):南北溫濕度巨大差異對(duì)主板穩(wěn)定性影響不容忽視。

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KOAN 石英晶振溫度穩(wěn)定性為什么優(yōu)于 MEMS 振蕩器

KOAN 石英晶體振蕩器的頻率與溫度遵循 AT 切晶體的連續(xù)立方曲線;MEMS 振蕩器的頻率與溫度特性似乎優(yōu)于晶體振蕩器。然而, 隨著溫度的上升,MEMS 振蕩器的鎖向電路以離散步驟調(diào)整頻率,頻率溫度曲線圖呈鋸齒狀曲線。此現(xiàn)象表明當(dāng)溫度上升,MEMS 振蕩器切換到溫度補(bǔ)償,導(dǎo)致頻率小范圍跳變。由于晶體的設(shè)計(jì),加工水平差異以及外圍電路雜散電容難以確定,又一定程度上增加了匹配難度,追求精準(zhǔn)匹配的晶體振蕩器應(yīng)運(yùn)而生。

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KOAN 石英晶振短期和長(zhǎng)期穩(wěn)定性優(yōu)于 MEMS 振蕩器

我們選取了同樣頻率的石英振蕩器和 MEMS 振蕩器,在 25°C 條件下,每隔 0.1 秒測(cè)量一次調(diào)整偏差,總共八分鐘。頻率變化以一次讀數(shù)引用的 ppm 顯示。石英振蕩器的變化量小于±0.02ppm (20ppb). 試驗(yàn)數(shù)據(jù)表明石英振蕩器和MEMS 振蕩器的設(shè)計(jì)和特性不一樣。MEMS 器件中的低 Q 值會(huì)導(dǎo)致頻率變化。MEMS 振蕩器的 ppm 的快速變化表明溫度補(bǔ)償電路在時(shí)刻根據(jù)諧振器溫度變化而變化。什么是石英可編程晶振KOAN石英晶振與MEMS振蕩器的電路設(shè)計(jì)區(qū)別:石英晶體在電子設(shè)備中被用作時(shí)鐘或頻率基準(zhǔn)源,堪稱設(shè)備心臟,直接影響設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)水平和穩(wěn)定性。PPL 電路中的數(shù)字變化,用于校正頻率。石英振蕩器有更好的 Q 值,并且不需要數(shù)字校正信號(hào),因此短期穩(wěn)定更好。(省略長(zhǎng)期穩(wěn)定性)



KOAN 時(shí)鐘振蕩器方波 CMOS 輸出系列編號(hào)封裝尺寸解讀

KS08:K-KOAN,S-CMOS,08 直插正方?KS08W:W-寬溫特性

KS14:K-KOAN,S-CMOS,14 直插長(zhǎng)方 ?KS14W:W-寬溫特性

KS70:K-KOAN,S-CMOS,70-SMD7050 ?KS70W:W-寬溫特性

KS7050:K-KOAN,S-CMOS,7050-SMD*KHz

KS708T:K-KOAN,S-CMOS,708-SMD7050(8pin),T-CMOS

KS50:K-KOAN,S-CMOS,50-SMD5032 ?KS50W:W-寬溫特性

KS5032:K-KOAN,S-CMOS,5032-SMD*KHz

KS508T:K-KOAN,S-CMOS,508-SMD5032(8pin),T-CMOS

KS506T:K-KOAN,S-CMOS,506-SMD5032(6pin),T-CMOS

KS32:K-KOAN,S-CMOS,32-SMD3225 ?KS32W:W-寬溫特性

KS3225:K-KOAN,S-CMOS,3225-SMD*KHz

KS25:K-KOAN,S-CMOS,25-SMD2520 ?KS25W:W-寬溫特性

KS20:K-KOAN,S-CMOS,20-SMD2016 ?KS20W:W-寬溫特性

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