NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠廠家

2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉，離心力，在硅片表面通過旋轉的光刻膠，工藝參數3000-6000rpm   膠膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā)，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導，干燥循環(huán)熱風提高附著力，紅外線輻射。

烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時間與溫度應適當，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會影響后面的顯影效果。

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4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經與光刻版對準后，進行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；

對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。

曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）

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(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。