光刻膠分類

市場上，光刻膠產(chǎn)品依據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn)，可以進(jìn)行分類。依照化學(xué)反應(yīng)和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負(fù)性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；品牌產(chǎn)地型號厚度曝光應(yīng)用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性膠；③光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負(fù)性光刻膠。

按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征，還需要相應(yīng)光刻機與之配對調(diào)試。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進(jìn)行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。

針對不同應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商核心的技術(shù)。

此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。

NR77-20000P

正膠PR1-2000A1技術(shù)資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長為365 或者436納米，可用于晶圓步進(jìn)器、掃描投影對準(zhǔn)器、近程打印機和接觸式打印機等工具。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長達(dá)2年。

發(fā)展

Futurrex在開發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長的歷史

我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強勢的產(chǎn)品。

在晶體管(transistor) ，封裝，微機電。顯示器，OLEDs，波導(dǎo)(waveguides) ，VCSELS，

成像，電鍍，納米碳管，微流體，芯片倒裝等方面。我們都已經(jīng)取得一系列的技術(shù)突破。

目前Futurrex有數(shù)百個技術(shù)在美國商標(biāo)局備案。

Futurrex 產(chǎn)品目錄

正性光刻膠

增強粘附性正性光刻膠

負(fù)性光刻膠

增強粘附性負(fù)性光刻膠

先進(jìn)工藝負(fù)性光刻膠

用于lift-off工藝的負(fù)性光刻膠

非光刻涂層

平坦化，保護(hù)、粘接涂層

氧化硅旋涂(spin-on glas)

摻雜層旋涂

輔助化學(xué)品

邊膠清洗液

顯影液

去膠液

Futurrex所有光刻產(chǎn)品均無需加增粘劑(HMDS)