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ASEMI肖特基二極管新品介紹——

SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:

1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。

2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？欤_關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。

為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢壘雙金屬溝槽(DMT)結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計(jì)方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H-SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。

關(guān)于肖特基MBR系列

　　為什么國際通用常見的肖特基二極管都以"MBR"字頭命名？

　　因?yàn)樽钤缡鞘澜绨雽?dǎo)體公司-摩托羅拉半導(dǎo)體命名的產(chǎn)品型號

　　M:是以最早MOTOROLA的命名，取M

　　B:Bridge 橋；Barrier:勢壘

　　R:Rectifier,整流器 "MBR"意為整流器件

　　SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二極管。

　　例如：MBR20100CT

　　M:MOTOROLA 縮寫M

　　B:Barrier1 縮寫B(tài)

　　R:Rectifier 縮寫R

　　20:電流20A

　　100:電壓100V

　　C:表示TO-220AB封裝，常指半塑封。

　　T:表示管裝