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ASEMI解析肖特基勢(shì)壘二極管工作原理：

隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管。

SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、DA電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。

肖特基二極管

      優(yōu)點(diǎn)：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時(shí)間極短:        可達(dá)5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點(diǎn)：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)

　常見(jiàn)ASEMI貼片封裝的肖特基型號(hào)：

　　BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23,0.3A

　　MBR0520L、MBR0540:SOD-123,0.5A

　　SS12、SS14:DO-214AC（SMA），1A

　　SL12、SL14:DO-214AC（SMA），1A

　　SK22:SK24:DO-214AA（SMB），2A

　　SK32:SK34:DO-214AB（SMC），3A

　　MBRD320、MBRD360:TO-252,3A

　　MBRD620CT、MBRD660CT:TO-252,6A

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK），10A

　　MBRB4045CT:TO-263（D2PAK），40A