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東陽(yáng)肖特基二極管正負(fù)常用指南「多圖」

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發(fā)布時(shí)間:2020-11-16 12:45  








編輯:DD

要問(wèn)肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的差別,以及為什么采購(gòu)生產(chǎn)等都喜歡使用肖特基二極管的原因,那就是頻率的高低不同,直接影響到應(yīng)用當(dāng)中的能源耗損,像ASEMI的肖特基二極管,其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到5ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低,一般不超過(guò)去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn),能提高低壓、大電流整流(或續(xù)流)電路的效率 。

肖特基二極管

      優(yōu)點(diǎn):

              1.   正向壓降小 :              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時(shí)間極短:        可達(dá)5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點(diǎn):

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1:B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2:1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)


關(guān)于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

  通過(guò)型號(hào)識(shí)別封裝外形:

  MBR10100:TO-220AC,單芯片,兩引腳,

  MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片,三引腳,型號(hào)后綴帶CT

  MBRB10100CT:TO-263(D2PAK)、貼片。

  型號(hào)前面四個(gè)字母B,代表TO-263,國(guó)際通用命名。雙芯片,三引腳,型號(hào)后綴帶CT

  MBRD1045CT:TO-252(DPAK)、貼片。

  MBRD與MBRB都是貼片,D:TO-252,B:TO-263.

  MBR3045PT:TO-3P,型號(hào)后綴"PT"代表TO-3P封裝,

  原MOTOROLA現(xiàn)叫做SOT-93

  SD1045:D表示TO-251


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