更好的解決溥膜電容頻率高，總線周期特別快的情況，蘇州薄膜電容廠家為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：

減小信號(hào)傳輸中的畸變：

微控制器主要采用高速CMOS技術(shù)制造。信號(hào)輸入端靜態(tài)輸入電流在1mA左右，輸入電容10PF左右，輸入阻抗相當(dāng)高，高速CMOS電路的輸出端都有相當(dāng)?shù)膸лd能力，即相當(dāng)大的輸出值，將一個(gè)門的輸出端通過一段很長線引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端，反射問題就很嚴(yán)重，它會(huì)引起信號(hào)畸變，增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)Tpd＞Tr時(shí)，就成了一個(gè)傳輸線問題，必須考慮信號(hào)反射，阻抗匹配等問題。

運(yùn)行溫度過高造成cbb電容器損壞的原因

戶外式cbb電容器日光直接照射：cbb電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時(shí)，由于日光直接照射下，由于超溫運(yùn)行原因，年損壞率很高，有的可達(dá)百分之十左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中，散熱不良，夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時(shí)，也會(huì)集中造成損壞；

環(huán)境溫度過高：目前cbb電容器周圍空氣溫度系按一25-40攝氏度設(shè)計(jì)。環(huán)境溫度不超過40攝氏度的要求，在我國許多地區(qū)難以滿足。因此，新型的低壓無功補(bǔ)償裝置，其周圍空氣溫度系按一30-55攝氏度設(shè)計(jì)；

通風(fēng)散熱不足：不少單位的電容器室不是專門設(shè)計(jì)，而是利用其他房子改建的。因此安裝上不甚合理，例如有的電容器室通風(fēng)設(shè)備容量小，且冷風(fēng)流動(dòng)方向有直流通現(xiàn)象，造成一些溫度特別高的死角。有些電容器室每排作2行或3行布置，排與排之間走道過窄，上下層電容器安裝時(shí)又不注意對(duì)齊，影響到通風(fēng)和散熱且不便于檢查監(jiān)視。

薄膜電容廠家說說電容器很快就出問題的原因

操作過電壓引起電容器的損壞：

切斷并聯(lián)電容器組時(shí)，可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓，切斷過程中，如果斷路器發(fā)生電弧重燃，將引起強(qiáng)烈的電磁振蕩，出現(xiàn)更高的過電壓值.這一過電壓的幅值，與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān)，也與電弧重燃時(shí)觸頭間的電位差有關(guān)；