●輸出兩個繞組，個是能夠提供27V30A的主繞組，第二個是能夠提供140V啟動電壓，經(jīng)過串聯(lián)在整流二極管前面的電容來限制啟動機電流<0.5A電流的。當開機時輸出電壓根據(jù)輔助繞組的反饋電壓，開環(huán)狀態(tài)啟動繞組電壓被限制到140V左右，氙氣燈在高達140V電壓立即啟動后，由于高壓繞組的串聯(lián)電容存在，這個電流無法高起來。而一旦氙氣燈啟動,此電壓同步拉低到主繞組電壓27V左右，因為前端互感器電流采樣使得輸出功率受限制，所以27V的電壓不會被抬高。

。●初級與次級主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會更有利?！耖_關電源在MOSFET-D端點工作時候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點），在變壓器繞制時建議將他繞在變壓器的個繞組，并作為起點端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的。●VCC繞組在計算其圈數(shù)時盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因為啟動前電流是非常小的，所以這個電阻并沒有多少影響，幾乎可以忽略不計。

LEB前沿消隱時間設短了，比尖峰脈沖的時間還短，那就沒有效果了還是會誤判；如果設長了，真正的過流來了起不到保護的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過1NS的Delay，否則輸出短路時，Vds會比滿載時還高，超過MOSFET耐壓就可能造成炸機。 經(jīng)驗值1nS的Delay約等于1K對100PF，也等于100R對102PF 16.畫小板時，在小板引腳的90度拐角處增加一個圓形鉆孔。理由：方便組裝 如圖： 實物如圖： 實際組裝如圖： 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會有浮高現(xiàn)象 17.電路設計，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調(diào)試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因為1N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機 19.電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。


43.一款48W（36V/1.33A）整改EMI案例，僅僅是調(diào)整了肖特基吸收就把30-40M壓下來。 115Vac低壓30M紅色頂線 230Vac高壓30M紅色也頂線 調(diào)整肖特基吸收后：115Vac低壓，走勢圖非常漂亮 230Vac高壓，走勢圖非常漂亮44.安規(guī)距離一覽表。 45.剛?cè)腴T使用CAD、PADS上容易遇到的問題。a..PADS畫好的PCB導出為DXF文件，CAD打開后是由雙線組成的空心線段，如圖： 剛開始不會時，是用L命令一根一根的描，狂汗