興之揚(yáng)腐蝕不銹鋼網(wǎng)片小編為您解答鋼蝕刻工藝中的滾涂原理：

使膠輥與鋼輪平行靠緊，并勻速向內(nèi)旋轉(zhuǎn)，油膜從膠管?chē)娭龄撦喩希鶆蛘{(diào)節(jié)膠輥與鋼輥之間的緊密度，就可以控制黏附在膠輥上的油墨厚度與均勻度；鋼片由輸送帶往前均速推進(jìn)，與膠輥適當(dāng)接觸，膠輥上的油墨就均勻的轉(zhuǎn)印到鋼片表面上。在金屬蝕刻的防蝕層制作中涂裝技術(shù)應(yīng)用較多，常用的涂裝方法有絲印法、浸涂法、噴涂法、電泳涂裝等。涂覆的防蝕層表面應(yīng)均勻完整、無(wú)砂眼、白點(diǎn)等，如發(fā)現(xiàn)防蝕層有上述質(zhì)量缺陷，且這些缺陷又在圖文線條附近，特別是精細(xì)圖文線條，應(yīng)退除防蝕層重新涂覆。工件上噴涂的感光油膜干燥后，在進(jìn)行曝光之前要進(jìn)行質(zhì)量檢查。在鉻的添加量達(dá)到10．5％時(shí)，不銹鋼的耐腐蝕性取決于鉻，但是因?yàn)殂t是鋼的組成部分之一，所以保護(hù)方法不盡相同性能顯著增加，但鉻含量更高時(shí)，盡管仍可提高不銹鋼的耐腐蝕性，但不明顯。檢查項(xiàng)目包括油膜表面無(wú)劃傷、氣孔，油膜的滾涂均勻性等，如達(dá)不到這個(gè)要求應(yīng)將整個(gè)板面的油墨退掉重新滾涂。

金屬蝕刻網(wǎng)片的熔煉過(guò)程：

1）一：這個(gè)階段主要是起弧。電爐通電后，電極發(fā)射熱電子，從陰極發(fā)出大量電子，高速電子可使中性的空氣分子離解成離子，從而空氣具有導(dǎo)電能力，產(chǎn)生電弧，釋放出大量的光和熱。

2）二：這個(gè)階段主要是電極穿井和極下?tīng)t料的熔化。通電起弧后，電極下的爐料受熱熔化。隨著熔化的進(jìn)行，經(jīng)過(guò)15-25分鐘的時(shí)間，電極降到低位置。但缺點(diǎn)是由于離子是以撞擊的方式達(dá)到蝕刻的目的，因此光阻與待蝕刻材料兩者將同時(shí)遭受蝕刻，造成對(duì)屏蔽物質(zhì)的蝕刻選擇比變差，同時(shí)蝕刻終點(diǎn)必須精準(zhǔn)掌控，因?yàn)橐噪x子撞擊方式蝕刻對(duì)于底層物質(zhì)的選擇比很低。在此階段，電弧始終被爐料包圍，電弧所放出的熱量絕大部分用于加熱和熔化爐料，對(duì)爐蓋的熱輻射很少，應(yīng)該向爐內(nèi)輸送大功率。

3）三：這一階段主要是電極四周爐料的熔化和電極的回升。隨著熔化的進(jìn)行，液面不斷上升，電極也就相應(yīng)地上升。在回升過(guò)程中，周?chē)臓t料逐漸熔化，當(dāng)爐內(nèi)只有爐坡和爐底還剩部分未熔爐料，即全部爐料熔化80%左右，這一階段結(jié)束。蝕刻不銹鋼帶硬度：不銹鋼帶，一般分為軟態(tài)，半硬，中硬，特硬四種。在這個(gè)階段，電弧在大部分時(shí)間中仍被冷料包圍，應(yīng)仍向爐內(nèi)輸送大功率。

4）四：這個(gè)階段主要是低溫爐區(qū)爐料的熔化。電弧是點(diǎn)熱源，爐膛內(nèi)的溫度分布不均勻，爐門(mén)附近，出鋼口兩側(cè)等處的爐料熔化較慢。應(yīng)及時(shí)將這些地方的冷料推入熔池。涂覆的防蝕層表面應(yīng)均勻完整、無(wú)砂眼、白點(diǎn)等，如發(fā)現(xiàn)防蝕層有上述質(zhì)量缺陷，且這些缺陷又在圖文線條附近，特別是精細(xì)圖文線條，應(yīng)退除防蝕層重新涂覆。在此階段液面仍緩慢上升，鋼水溫度已經(jīng)升高，電弧開(kāi)始暴露在液面上，輻射加強(qiáng)，應(yīng)該適當(dāng)降低輸入功率和電壓。

第二和第三階段是熔化過(guò)程的主要階段，占全部時(shí)間的70-80%，是決定熔化期時(shí)間長(zhǎng)短的主要因素。

興之揚(yáng)腐蝕不銹鋼網(wǎng)片小編給大家介紹什么是濕式蝕刻技術(shù)：

早期的蝕刻技術(shù)是利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來(lái)除薄膜未被光阻覆蓋的部分，而達(dá)到蝕刻的目的，這種蝕刻方式也就是所謂的濕式蝕刻。因?yàn)闈袷轿g刻是利用化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜的去除，而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性，因此濕式蝕刻過(guò)程為等向性，一般而言此方式不足以定義3微米以下的線寬，但對(duì)于3微米以上的線寬定義濕式蝕刻仍然為一可選擇采用的技術(shù)。高pH值會(huì)產(chǎn)生較大的側(cè)蝕并會(huì)影響到一些光致抗蝕劑的性能，特別是水溶性光致抗蝕劑，氨水或NH4OH的添加通常是由一個(gè)pH感應(yīng)控制系統(tǒng)自動(dòng)完成的。

濕式蝕刻之所以在微電子制作過(guò)程中被廣泛的采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的蝕刻選擇比等優(yōu)點(diǎn)。但相對(duì)于干式蝕刻，除了無(wú)法定義較細(xì)的線寬外，濕式蝕刻仍有以下的缺點(diǎn)：1)需花費(fèi)較高成本的反應(yīng)溶液及去離子水；電弧是點(diǎn)熱源，爐膛內(nèi)的溫度分布不均勻，爐門(mén)附近，出鋼口兩側(cè)等處的爐料熔化較慢。2)化學(xué)藥品處理時(shí)人員所遭遇的安全問(wèn)題；3)光阻附著性問(wèn)題；4)氣泡形成及化學(xué)蝕刻液無(wú)法完全與晶圓表面接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻。