刻蝕技術(shù)

北創(chuàng)世威納京專業(yè)生產(chǎn)、銷售離子束刻蝕機(jī)，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

刻蝕技術(shù)（etching technique），是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

離子束刻蝕機(jī)

離子束加工的應(yīng)用范圍正在日益擴(kuò)大，不斷創(chuàng)新。

目前用于改變零件尺寸和表面物理力學(xué)性能的離子束加工工藝主要有用于從工件上作去除加工的離子刻蝕加工、用于給工件表面添加的濺射鍍膜和離子鍍膜加工以及用于表面改性的離子注入加工。

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加工

離子束刻蝕可達(dá)到很高的分辨率，適合刻蝕精細(xì)圖形。離子束加工小孔的優(yōu)點(diǎn)是孔壁光滑，鄰近區(qū)域不產(chǎn)生應(yīng)力和損傷能加_工出任意形狀的小孔，且孔形狀只取決于掩模的孔形。

加工線寬為納米級(jí)的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上，用電子束蒸鍍10nm的金一鋁(60/40)膜。

首先將樣品置于真空系統(tǒng)中，其表面自然形成---種污染抗蝕劑掩模，用電子束曝光顯影后形成線寬為8nm的圖形，然后用ya離子束刻蝕，離子束流密度為0.1mA/cm， 離子能量是1keV;另一種是在20nm厚的金一鈀膜上刻出線寬為8nm的圖形、深寬比提高到2.5:10。 由此可見(jiàn)離子束加工可達(dá)到很高的精度。