磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成?！?

技術(shù)指標(biāo)：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa（短時(shí)間暴露　　大氣并充干燥氮?dú)夂箝_始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負(fù)偏壓 -200V　　

樣品轉(zhuǎn)盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，計(jì)算機(jī)控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的功能：對(duì)位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時(shí)間的變化做實(shí)時(shí)采集，對(duì)位移誤差進(jìn)行計(jì)算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對(duì)位移曲線可在線性和對(duì)數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換，可實(shí)現(xiàn)換位定點(diǎn)鍍膜。

以上就是為大家介紹的全部內(nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。