半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。如果入射光強度太高，導致器件內(nèi)電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。載流子就是由半導體原子 逸出來的電子及其留下的空位----- 空穴。電從原子中逃逸出來,必須吉兇服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量,使它有能力逃逸出來的一種形式。因此，光照可以改變載流子的濃度,從而必變半導體的電導率。光電導器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。1、光敏電阻這是一種半導體電阻。在沒有光照時,電阻很大;在一定波長范圍的光照下,電阻值明顯變小。

硅光電池就是一個大面積PN結。這些能量大部分以發(fā)光的形式出現(xiàn)，因此，可以直接將電能轉換成光能。光照可以使薄薄的P型區(qū)產(chǎn)生大量的光生載流子。這些光生電子和空穴，會向PN結方向擴散。擴散過程中，一部分電子和空穴復合消失,大部分擴散到PN結邊緣。在結電場的作用下，大部分光生空穴被電場推回P型區(qū)而不能穿越PN結；大部分光生電阻卻受到結電場的加速作用穿越PN結，到達N型區(qū)。隨著光生電子在N型區(qū)的積累及光生空穴在P型號區(qū)的積累，會在在PN對的兩側產(chǎn)生一個穩(wěn)定的電位差，這就是光生電動勢。

應用隨著傳統(tǒng)燃料能源的減少以及對環(huán)境造成的危害也越來越嚴重 ,能源問題日益成為制約國際社會經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸，越來越多的國家制定了大力發(fā)展太陽能的計劃。光電耦合器又是光電開關，這種光電開關不存在繼電器中機械點易疲勞的問題，可靠性很高。例如，美國的“ 光伏建筑計劃”、歐洲的“百萬屋頂光伏計劃” ，日本的“朝日計劃 ” ，以及我國發(fā)展的“光明工程 ”等都極大地促進了太陽能的發(fā)展。當前太陽能電池產(chǎn)品類型主要有單晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半導體和疊層太陽能電池等，主要應用在以下領域。