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常見的肖特基有貼片肖特基二極管與直插型肖特基二極管。

首先一起來看一下貼片型肖特基二極管：SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，耐壓頂多達到約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源(SMPS)和功率因數校正(PFC)電路中功率開關器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管(FRED)和超快速恢復二極管(UFRD)。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導率高為4.9W/(cm·K)，抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。

關于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

　　通過型號識別封裝外形：

　　MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，

　　MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號后綴帶CT

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。

　　型號前面四個字母B,代表TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號后綴帶CT

　　MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。

　　MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:TO-263.

　　MBR3045PT:TO-3P,型號后綴"PT"代表TO-3P封裝，

　　原MOTOROLA現(xiàn)叫做SOT-93

　　SD1045:D表示TO-251

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。