電化學(xué)蝕刻 把工件做陽(yáng)極，在鋰電池電解液中接電源，工件上未被維護(hù)位置因作陽(yáng)極而融解，進(jìn)而做到蝕刻的目地。電化學(xué)蝕刻的蝕刻速度一般由工件表層的電流強(qiáng)度來(lái)操縱。 針對(duì)蝕刻進(jìn)行為制成品的商品，立即褪去維護(hù)油墨。要依據(jù)所選用的油墨特性來(lái)采用脫墨液： 1.針對(duì)水溶性油墨，可選用20%溶液/50~60℃浸泡約十分鐘，隨后擦洗，除去油墨。 2.針對(duì)油溶性油墨，得用開(kāi)展浸泡約十分鐘，隨后開(kāi)展清洗除去。 針對(duì)蝕刻的制成品，開(kāi)展手工制作填漆、電泳工藝或是電鍍工藝，進(jìn)而產(chǎn)生同一平面圖二種兩色乃至多種多樣色調(diào)的外型實(shí)際效果

　刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別：光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒(méi)有圖案）的部分，留下剩余的部分?？涛g相對(duì)光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機(jī)的作用相當(dāng)于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機(jī)的作用相當(dāng)于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機(jī)和光刻機(jī)性質(zhì)一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細(xì)活，一般到毫米就行。做芯片用的刻蝕機(jī)和光刻機(jī)，要到納米。現(xiàn)在的手機(jī)芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺(tái)積電的10納米技術(shù)。10納米有多小呢？打個(gè)比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發(fā)絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米?，F(xiàn)在先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭的ASML公司，到10納米。臺(tái)積電買(mǎi)的都是它的光刻機(jī)。ASML公司實(shí)際上是美國(guó)、荷蘭、德國(guó)等多個(gè)國(guó)家技術(shù)合作的結(jié)果。因?yàn)檫@方面的研究難度太大，單個(gè)國(guó)家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在光刻機(jī)上努力研發(fā)。

光刻機(jī)和刻蝕機(jī)的區(qū)別:

刻蝕相對(duì)光刻要容易。光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒(méi)有圖案）的部分，留下剩余的部分。

“光刻”是指在涂滿光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線隔著光刻板對(duì)晶圓進(jìn)行一定時(shí)間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質(zhì)，易于腐蝕。

“刻蝕”是光刻后，用腐蝕液將變質(zhì)的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導(dǎo)體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對(duì)晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。