市場規(guī)模

中國半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定增長，全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移。光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。據(jù)WSTS和SIA統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2016年中國半導體市場規(guī)模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導體制造用光刻膠市場規(guī)模為19.55億元，其配套材料市場規(guī)模為20.24億元。預計2017和2018年半導體制造用光刻膠市場規(guī)模將分別達到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規(guī)模將分別達到22.64億元和29.36億元。在28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續(xù)性強。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設多家工廠，如臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導體工廠的設立，也拉動了國內(nèi)半導體光刻膠市場需求增長。

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正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。b、接近式曝光（ProximityPrinting）掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。

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光刻膠穩(wěn)定性

化學穩(wěn)定性：在正常儲存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩(wěn)定。

避免的條件: 火源、濕氣、過熱的環(huán)境。

不相容的其他材料: 強氧化劑。

光刻膠毒理資料

淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激?？梢酝ㄟ^皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。

毒性數(shù)據(jù)

皮膚：可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類似于吸入。長時間或重復接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛發(fā)炎。

吸入：吸入時可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導致困倦和頭暈。

攝食：吞食有害。

延遲效應：肝和損害，以及動物實驗中有報道血液和GU髓有影響。