碳化硅、碳化硅脫氧劑、碳化硅球，規(guī)格：45#50#55#60#65#70#等多種型號。（3）用于鑄造和煉鋼工業(yè)（特鋼、不銹鋼、T制鐵、G制鐵、K制鐵等工廠都可使用），提高爐內(nèi)溫度，縮短熔化時間，提高鋼鐵產(chǎn)量，起到增碳、脫氧、加硅、升溫等作用。碳化硅適用于沖天爐和電爐，作為脫氧劑廣泛應(yīng)用于鑄造和煉鋼工業(yè)。該產(chǎn)品可快速提高鋼水溫度，縮短熔煉時間，起到脫氧、增碳、加硅、升溫等作用，也可作為硅鐵的替代品使用。制備成碳化硅球后，在投料過程中無粉塵污染，清潔環(huán)保。該產(chǎn)品具有以下優(yōu)點：1、增碳增硅，節(jié)省增碳劑、硅鐵等合金材料的投放，降低噸鋼成本。2、碳化硅氧化時放出大量熱能，可減少用電消耗，降低生產(chǎn)成本。

        近日科技部高新司在組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導體關(guān)鍵的碳化硅和氮化材料、功率器件、封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。

　　中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導體研究進展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。該產(chǎn)品可快速提高鋼水溫度，縮短熔煉時間，起到脫氧、增碳、加硅、升溫等作用，也可作為硅鐵的替代品使用。隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來，我國半導體材料市場發(fā)展迅速。其中以碳化硅與氮化為主的材料備受關(guān)注。我們認為，該項目取得的進展，顯示出我國在半導體前沿材料的研究方面取得了突破進展，有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代建設(shè)上的重大需求。